PLD

Pulsed Laser Deposition

Moderne Anlage zur gepulsten Laserdeposition (PLD), die alle State-of-the-Art Komponenten für die hochwertige Dünnschichtherstellung enthält: Hochdruck-Hochspannungs-RHEED, Laser-Substrat-Heizung und in-situ Laserenergiemessung.
Die PLD erlaubt die Synthese von Materialien und Heterosystemen für die oxidische Elektronik. Über einen UHV Tunnel können die Proben im Vakuum zwischen dem PLD-System und dem benachbarten ADOMBE-System, sowie einem Ion-Etching-System transferiert werden.

Gerätespezifikationen

Schleuse für Substrate und Targets
Anzahl der PLD Targets 6
Substratgröße bis zu 10x10 mm²
Temperaturbereich 25-1500 °C
Prozessgase Ar2, O2, N2
Laser KeF Excimer-Laser mit 248 nm, 750 mJ